Справочник MOSFET. SWU7N80D

 

SWU7N80D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWU7N80D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 179 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 41 ns
   Выходная емкость (Cd): 120 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для SWU7N80D

 

 

SWU7N80D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  samwin
sw7n80d swf7n80d swu7n80d swj7n80d.pdf

SWU7N80D
SWU7N80D

SW7N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-262N MOSFET TO-220F TO-262 TO-262N BVDSS : 800V Features ID : 7A High ruggedness RDS(ON) : 1.5 Low RDS(ON) (Typ 1.5)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 39nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application: LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source

 ..2. Size:754K  samwin
swf7n80d swu7n80d swj7n80d.pdf

SWU7N80D
SWU7N80D

SW7N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-262N MOSFET TO-220F TO-262 TO-262N BVDSS : 800V Features ID : 7A High ruggedness RDS(ON) : 1.5 Low RDS(ON) (Typ 1.5)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 39nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application: LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top