SWU7N80D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWU7N80D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для SWU7N80D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWU7N80D даташит

 ..1. Size:725K  samwin
 sw7n80d swf7n80d swu7n80d swj7n80d.pdf pdf_icon

SWU7N80D

SW7N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-262N MOSFET TO-220F TO-262 TO-262N BVDSS 800V Features ID 7A High ruggedness RDS(ON) 1.5 Low RDS(ON) (Typ 1.5 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 39nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source

 ..2. Size:754K  samwin
 swf7n80d swu7n80d swj7n80d.pdf pdf_icon

SWU7N80D

SW7N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-262N MOSFET TO-220F TO-262 TO-262N BVDSS 800V Features ID 7A High ruggedness RDS(ON) 1.5 Low RDS(ON) (Typ 1.5 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 39nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие IGBT... SWMN7N65D, SWJ7N65D, SWHA7N65D, SWD7N70D, SWN7N70D, SWJ7N70D, SWF7N70D, SWF7N80D, IRFP450, SWJ7N80D, SWI8N65DB, SWD8N65DB, SWF8N65DB, SWJ8N65DB, SWF8N70D, SWJ8N70D, SSF60R190S2