Справочник MOSFET. SWU7N80D

 

SWU7N80D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWU7N80D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWU7N80D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  samwin
 sw7n80d swf7n80d swu7n80d swj7n80d.pdf pdf_icon

SWU7N80D

SW7N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-262N MOSFET TO-220F TO-262 TO-262N BVDSS : 800V Features ID : 7A High ruggedness RDS(ON) : 1.5 Low RDS(ON) (Typ 1.5)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 39nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application: LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source

 ..2. Size:754K  samwin
 swf7n80d swu7n80d swj7n80d.pdf pdf_icon

SWU7N80D

SW7N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-262N MOSFET TO-220F TO-262 TO-262N BVDSS : 800V Features ID : 7A High ruggedness RDS(ON) : 1.5 Low RDS(ON) (Typ 1.5)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 39nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application: LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SWP068R08E8T | SVG086R0NDTR | SWP100N10B | UTT18P10G-TA3-T | HUF76145S3S | BUK7E4R0-80E | SVS20N60KD2

 

 
Back to Top

 


 
.