Справочник MOSFET. SWU7N80D

 

SWU7N80D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWU7N80D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для SWU7N80D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWU7N80D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  samwin
 sw7n80d swf7n80d swu7n80d swj7n80d.pdf pdf_icon

SWU7N80D

SW7N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-262N MOSFET TO-220F TO-262 TO-262N BVDSS : 800V Features ID : 7A High ruggedness RDS(ON) : 1.5 Low RDS(ON) (Typ 1.5)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 39nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application: LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source

 ..2. Size:754K  samwin
 swf7n80d swu7n80d swj7n80d.pdf pdf_icon

SWU7N80D

SW7N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-262N MOSFET TO-220F TO-262 TO-262N BVDSS : 800V Features ID : 7A High ruggedness RDS(ON) : 1.5 Low RDS(ON) (Typ 1.5)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 39nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application: LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... SWMN7N65D , SWJ7N65D , SWHA7N65D , SWD7N70D , SWN7N70D , SWJ7N70D , SWF7N70D , SWF7N80D , IRF1407 , SWJ7N80D , SWI8N65DB , SWD8N65DB , SWF8N65DB , SWJ8N65DB , SWF8N70D , SWJ8N70D , SSF60R190S2 .

History: ST12N10D | SI7101DN | FQA28N15F109 | 2SK1993 | NDS0605 | AS3415E | CS12N80F

 

 
Back to Top

 


 
.