SWF8N65DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF8N65DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SWF8N65DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF8N65DB даташит

 ..1. Size:1132K  samwin
sw8n65db swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdfpdf_icon

SWF8N65DB

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charge, PC Power 3 3 3 3 1

 ..2. Size:1066K  samwin
swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdfpdf_icon

SWF8N65DB

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain

 6.1. Size:1171K  samwin
swp8n65d swi8n65d swd8n65d swf8n65d swnx8n65d.pdfpdf_icon

SWF8N65DB

SW8N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F/TO-251NX MOSFET BVDSS 650V Features TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F TO-251NX ID 8A High ruggedness RDS(ON) 1.1 Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 2 3 3 3 3 Application Charg

 8.1. Size:804K  samwin
swu8n60d swf8n60d.pdfpdf_icon

SWF8N65DB

SW8N60D N-channel Enhanced mode TO-262/TO-220F MOSFET Features TO-262 BVDSS 600V TO-220F ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.92 )@VGS=10V RDS(ON) 0.92 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application LED,Charger,PC Power 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Descr

Другие IGBT... SWN7N70D, SWJ7N70D, SWF7N70D, SWF7N80D, SWU7N80D, SWJ7N80D, SWI8N65DB, SWD8N65DB, 4N60, SWJ8N65DB, SWF8N70D, SWJ8N70D, SSF60R190S2, SSP60R190S2, SSW60R190S2, SSF60R190SFD, SSP60R190SFD