ZVN2110G - описание и поиск аналогов

 

ZVN2110G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZVN2110G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для ZVN2110G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZVN2110G даташит

 ..1. Size:48K  diodes
zvn2110g.pdfpdf_icon

ZVN2110G

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN2110G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 OCTOBER 1995 FEATURES D * 6A PULSE DRAIN CURRENT * FAST SWITCHING SPEED = V V V S V V D PARTMARKING DETAIL - ZVN2110 G COMPLEMENTARY TYPE - ZVP2110G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT V Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 500 mA Pulsed Drain

 0.1. Size:37K  diodes
zvn2110gta zvn2110gtc.pdfpdf_icon

ZVN2110G

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN2110G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 OCTOBER 1995 FEATURES D * 6A PULSE DRAIN CURRENT * FAST SWITCHING SPEED = V V V S V V D PARTMARKING DETAIL - ZVN2110 G COMPLEMENTARY TYPE - ZVP2110G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT V Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 500 mA Pulsed Drain

 7.1. Size:61K  diodes
zvn2110astoa zvn2110astob zvn2110astz.pdfpdf_icon

ZVN2110G

 7.2. Size:66K  diodes
zvn2110a.pdfpdf_icon

ZVN2110G

Другие MOSFET... ZVN0124A , ZVN0540A , ZVN0545A , ZVN0545G , ZVN1409A , ZVN2106A , ZVN2106G , ZVN2110A , 2N7002 , ZVN2120A , ZVN2120G , ZVN2535A , ZVN3306A , ZVN3306F , ZVN3310A , ZVN3310F , ZVN3320A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.