SSA20N60S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSA20N60S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSA20N60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSA20N60S даташит

 ..1. Size:1218K  cn super semi
 ssw20n60s ssa20n60s.pdf pdf_icon

SSA20N60S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power Transistor SS*20N60S Rev. 1.2 May. 2018 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSW20N60S/SSA20N60S 600V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing

Другие IGBT... SST80R850S, SSU80R850S, SSP1991, SSP70R450S2, SST70R450S2, SST60R280S2, SST65R280S2, SSW20N60S, IRFP250N, SSW47N60S, SSA47N60S, SSW47N60SFD, SSA47N60SFD, SSW50R100S, SSA50R100S, SSW50R100SFD, SSA50R100SFD