Справочник MOSFET. TSM900N06CW

 

TSM900N06CW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM900N06CW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для TSM900N06CW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM900N06CW Datasheet (PDF)

 5.1. Size:502K  taiwansemi
 tsm900n06.pdf pdf_icon

TSM900N06CW

TSM900N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-251S TO-252 Key Parameter Performance Pin Definition: (IPAK SL) (DPAK) 1. Gate Parameter Value Unit 2. Drain 3. Source VDS 60 V VGS = 10V 90 RDS(on) (max) m VGS = 4.5V 100 Qg 9.3 nC SOT-223 Block Diagram Ordering Information Part No. Package Packing TSM900N06CH X0G TO-251S 75pcs / Tube TSM900N06CP ROG TO-252

Другие MOSFET... TSM10NC60CF , TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX , TSM900N06CH , TSM900N06CP , AO4407 , CI28N120SM , CI30N120SM , CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F .

History: SSU1N45 | 2SJ597 | PSMN011-80YS | AP4405GM | HY029N10P | KMB3D0P30SA | SSU2N60B

 

 
Back to Top

 


 
.