Справочник MOSFET. TSM900N06CW

 

TSM900N06CW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: TSM900N06CW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.17 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 9.3 nC

Время нарастания (tr): 9.5 ns

Выходная емкость (Cd): 45 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для TSM900N06CW

 

 

TSM900N06CW Datasheet (PDF)

5.1. tsm900n06.pdf Size:502K _taiwansemi

TSM900N06CW
TSM900N06CW

TSM900N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-251S TO-252 Key Parameter Performance Pin Definition: (IPAK SL) (DPAK) 1. Gate Parameter Value Unit 2. Drain 3. Source VDS 60 V VGS = 10V 90 RDS(on) (max) m VGS = 4.5V 100 Qg 9.3 nC SOT-223 Block Diagram Ordering Information Part No. Package Packing TSM900N06CH X0G TO-251S 75pcs / Tube TSM900N06CP ROG TO-252

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top