Справочник MOSFET. CI30N120SM

 

CI30N120SM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CI30N120SM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CI30N120SM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  tokmas
 ci30n120sm.pdf pdf_icon

CI30N120SM

1200V SiC N-Channel MOSFETCI30N120SMCI30N120SMFeatures Package High Blocking Voltage with Low On-Resistance High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBenefits Higher System Efficiency (3) (1) (2) Reduced Cooling Requirements Increased Power DensityTO-247-3

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NCE2301D | AP9685GM-HF | SM1F02NSU | AP9998GH-HF | IRF3707SPBF | FTD2011 | MMIX1F230N20T

 

 
Back to Top

 


 
.