CI30N120SM - описание и поиск аналогов

 

CI30N120SM - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CI30N120SM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 102 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для CI30N120SM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CI30N120SM технические параметры

 ..1. Size:587K  tokmas
 ci30n120sm.pdf pdf_icon

CI30N120SM

1200V SiC N-Channel MOSFET CI30N120SM CI30N120SM Features Package High Blocking Voltage with Low On-Resistance High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant Benefits Higher System Efficiency (3) (1) (2) Reduced Cooling Requirements Increased Power Density TO-247-3

Другие MOSFET... TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CI28N120SM , NCEP15T14 , CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB .

History: FDR6674A | FXN4611F

 

 
Back to Top

 


 
.