CI30N120SM - описание и поиск аналогов

 

CI30N120SM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CI30N120SM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для CI30N120SM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CI30N120SM даташит

 ..1. Size:587K  tokmas
 ci30n120sm.pdf pdf_icon

CI30N120SM

1200V SiC N-Channel MOSFET CI30N120SM CI30N120SM Features Package High Blocking Voltage with Low On-Resistance High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant Benefits Higher System Efficiency (3) (1) (2) Reduced Cooling Requirements Increased Power Density TO-247-3

Другие MOSFET... TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CI28N120SM , NCEP15T14 , CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.