Справочник MOSFET. CI30N120SM

 

CI30N120SM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CI30N120SM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 31 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 102 nC

Время нарастания (tr): 76 ns

Выходная емкость (Cd): 91 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.098 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для CI30N120SM

 

 

CI30N120SM Datasheet (PDF)

0.1. ci30n120sm.pdf Size:587K _tokmas

CI30N120SM
CI30N120SM

1200V SiC N-Channel MOSFETCI30N120SMCI30N120SMFeatures Package High Blocking Voltage with Low On-Resistance High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBenefits Higher System Efficiency (3) (1) (2) Reduced Cooling Requirements Increased Power DensityTO-247-3

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top