CIM6N120-247 - аналоги и даташиты транзистора

 

CIM6N120-247 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CIM6N120-247
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 233 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для CIM6N120-247

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CIM6N120-247 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:226K  tokmas
 cim6n120.pdf pdf_icon

CIM6N120-247

36002dc8-79707dfb-44420c97-fd56264fPower MOSFETsCIM6N120Features Application 1200V, 6A Switch Mode Power Supply (SMPS) R =1.2 (Typ.) @ V = 10V, I =3A Uninterruptible Power Supply (UPS) DS(ON) GS D Fast Switching Power Factor Correction (PFC) 100% Avalanche Tested Improved dv/dt Capability Package Absolute Maximum Ratings (T =25 unless o

Другие MOSFET... CI28N120SM , CI30N120SM , CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , 10N65 , P7515BDB , PM5G8EA , PR804BA33 , QM0005D , QN4103M6N , ISCNH310P , ISCNH320K , ISCNH325W .

 

 
Back to Top

 


 
.