CIM6N120-247 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CIM6N120-247  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 233 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CIM6N120-247

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CIM6N120-247 даташит

 6.1. Size:226K  tokmas
 cim6n120.pdf pdf_icon

CIM6N120-247

36002dc8-79707dfb-44420c97-fd56264f Power MOSFETs CIM6N120 Features Application 1200V, 6A Switch Mode Power Supply (SMPS) R =1.2 (Typ.) @ V = 10V, I =3A Uninterruptible Power Supply (UPS) DS(ON) GS D Fast Switching Power Factor Correction (PFC) 100% Avalanche Tested Improved dv/dt Capability Package Absolute Maximum Ratings (T =25 unless o

Другие IGBT... CI28N120SM, CI30N120SM, CI47N65, CI60N120SM, CI72N65, CIM3N150, CIM6N120-220C, CIM6N120-220F, 4N60, P7515BDB, PM5G8EA, PR804BA33, QM0005D, QN4103M6N, ISCNH310P, ISCNH320K, ISCNH325W