ISCNH310P - описание и поиск аналогов

 

ISCNH310P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISCNH310P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для ISCNH310P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISCNH310P даташит

 ..1. Size:269K  inchange semiconductor
iscnh310p.pdfpdf_icon

ISCNH310P

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH310P FEATURES Drain Current I = 15A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 700V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.26 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

 8.1. Size:255K  inchange semiconductor
iscnh320k.pdfpdf_icon

ISCNH310P

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH320K FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 135m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Low gate charge Fast switching speed Improved dv/dt capab

 8.2. Size:286K  inchange semiconductor
iscnh371d.pdfpdf_icon

ISCNH310P

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH371D FEATURES Drain Current I = 2.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

 8.3. Size:356K  inchange semiconductor
iscnh377b.pdfpdf_icon

ISCNH310P

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH377B FEATURES Drain Current I = 200A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.3m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol

Другие MOSFET... CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB , PM5G8EA , PR804BA33 , QM0005D , QN4103M6N , RFP50N06 , ISCNH320K , ISCNH325W , ISCNH327P , ISCNH328W , ISCNH339D , ISCNH340B , ISCNH342P , ISCNH342W .

History: 2SK1418 | 2SK1201 | SGS35MA050D1 | 2N6788U | KHB9D5N20F2 | IPA60R280CFD7 | IRF3305B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.