ISCNH325W - описание и поиск аналогов

 

ISCNH325W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISCNH325W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для ISCNH325W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISCNH325W даташит

 ..1. Size:304K  inchange semiconductor
iscnh325w.pdfpdf_icon

ISCNH325W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH325W FEATURES Drain Current I = 40A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 90m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. A

 7.1. Size:255K  inchange semiconductor
iscnh320k.pdfpdf_icon

ISCNH325W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH320K FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 135m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Low gate charge Fast switching speed Improved dv/dt capab

 7.2. Size:261K  inchange semiconductor
iscnh327p.pdfpdf_icon

ISCNH325W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH327P FEATURES Drain Current I = 200A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 85V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

 7.3. Size:304K  inchange semiconductor
iscnh328w.pdfpdf_icon

ISCNH325W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH328W FEATURES Drain Current I = 6A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 1000V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.5 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. A

Другие MOSFET... CIM6N120-247 , P7515BDB , PM5G8EA , PR804BA33 , QM0005D , QN4103M6N , ISCNH310P , ISCNH320K , AO3407 , ISCNH327P , ISCNH328W , ISCNH339D , ISCNH340B , ISCNH342P , ISCNH342W , ISCNH345P , ISCNH346F .

History: RTE002P02 | WMM28N60F2 | LP4411ET1G | NTD4965N | NTF3055-160T1 | SM1105NSV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.