Справочник MOSFET. ISCNH325W

 

ISCNH325W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ISCNH325W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для ISCNH325W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISCNH325W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  inchange semiconductor
 iscnh325w.pdf pdf_icon

ISCNH325W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH325WFEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 90m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A

 7.1. Size:255K  inchange semiconductor
 iscnh320k.pdf pdf_icon

ISCNH325W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH320KFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 135m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONLow gate chargeFast switching speedImproved dv/dt capab

 7.2. Size:261K  inchange semiconductor
 iscnh327p.pdf pdf_icon

ISCNH325W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH327PFEATURESDrain Current I = 200A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 85V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

 7.3. Size:304K  inchange semiconductor
 iscnh328w.pdf pdf_icon

ISCNH325W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH328WFEATURESDrain Current : I = 6A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 1000V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CIM6N120-247 , P7515BDB , PM5G8EA , PR804BA33 , QM0005D , QN4103M6N , ISCNH310P , ISCNH320K , 7N60 , ISCNH327P , ISCNH328W , ISCNH339D , ISCNH340B , ISCNH342P , ISCNH342W , ISCNH345P , ISCNH346F .

History: WSP4805 | ISCNL343D

 

 
Back to Top

 


 
.