WMB128N10T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMB128N10T2
Маркировка: B128N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 128 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 934 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: PDFN5060-8L
Аналог (замена) для WMB128N10T2
WMB128N10T2 Datasheet (PDF)
wmb128n10t2.pdf

WMB128N10T2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDWMB128N10T2 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = 100 V, I = 128A DS DR
wmb129n10t2.pdf

WMB129N10T2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB129N10T2 uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = 100 V, I = 129ASilicon Limited DS DR
wmb120p06ts.pdf

WMB120P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB120P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and GsssssGyet maintain superior switching performance. sFeatures PDFN5060-8L V = -60V, I = -120A DS DR
Другие MOSFET... IXFH60N60X2A , MN7R6-60PS , STH80N10LF7-2AG , VP2320N1 , VIS30019 , VIS30023 , VIS30024 , VS3P07C , AON7403 , WML07N80M3 , WMM07N80M3 , WMO07N80M3 , WMP07N80M3 , WMK07N80M3 , WMN07N80M3 , WML26N60C4 , WMK26N60C4 .
History: KP11N60F | SSM5H07TU | IRLML0030TRPBF | FDMS039N08B | M7002NND03 | SM1A24NSK | GWM180-004X2-SL
History: KP11N60F | SSM5H07TU | IRLML0030TRPBF | FDMS039N08B | M7002NND03 | SM1A24NSK | GWM180-004X2-SL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388