WFF2N65L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WFF2N65L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8.6 nC
Время нарастания (tr): 23 ns
Выходная емкость (Cd): 32 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
Тип корпуса: TO220F
WFF2N65L Datasheet (PDF)
wff2n65l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WFF2N65L Product DescriptionSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesD2.0A,650V,R (Max5.0)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 8.6nC) Fast Switching CapabilityG 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)SGeneral DescriptionThis Power MOSFET is produced
wff2n65.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WFF2N65WFF2N65WFF2N65WFF2N65Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,650V(Type),R (Max 5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150) Halog
wff2n65b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WFF2N65BWFF2N65BWFF2N65BWFF2N65BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,650V(Type),R (Max 5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)Gener
wff2n60b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WFF2N60BWFF2N60BWFF2N60BWFF2N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,600V,R (Max 5.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced u
wff2n60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WFF2N60WFF2N60WFF2N60WFF2N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures2A,600V, R (Max 5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( V = 4000V AC )ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Desc
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
![WFF2N65L](https://alltransistors.com/images/us.png)
![WFF2N65L](https://alltransistors.com/images/es.png)
![WFF2N65L](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C