SPC20N65G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SPC20N65G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SPC20N65G
SPC20N65G Datasheet (PDF)
spc20n65g.pdf
SPC20N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=20A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 0.40 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 95 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 28 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 30 gd RoHS compliant Configuration single
Другие MOSFET... SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , SPC18N50G , 12N60 , SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor


