SPC20N65G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPC20N65G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 88 ns
Выходная емкость (Cd): 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SPC20N65G Datasheet (PDF)
..1. Size:836K cn sinai power
spc20n65g.pdf
spc20n65g.pdf
SPC20N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=20A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 0.40 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 95 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 28 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 30 gd RoHS compliant Configuration single
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
