Справочник MOSFET. SPC4N65G

 

SPC4N65G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPC4N65G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPC4N65G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:861K  cn sinai power
 spc4n65g.pdf pdf_icon

SPC4N65G

SPC4N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=4A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 2.4DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 24 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 4 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 8 gd RoHS compliant Configuration single Appli

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.