Справочник MOSFET. SPC4N65G

 

SPC4N65G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPC4N65G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SPC4N65G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPC4N65G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:861K  cn sinai power
 spc4n65g.pdf pdf_icon

SPC4N65G

SPC4N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=4A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 2.4DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 24 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 4 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 8 gd RoHS compliant Configuration single Appli

Другие MOSFET... SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , SPC18N50G , SPC20N65G , 4435 , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G .

 

 
Back to Top

 


 
.