SPC65R360G - описание и поиск аналогов

 

SPC65R360G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPC65R360G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SPC65R360G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPC65R360G даташит

 ..1. Size:718K  cn sinai power
 spc65r360g spe65r360g spd65r360g.pdf pdf_icon

SPC65R360G

 8.1. Size:768K  cn sinai power
 spc65r90g.pdf pdf_icon

SPC65R360G

SPC65R90G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m ) V =10V 90 DS(on) GS ID=30A(Vgs=10V) Q max. (nC) 85 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 15 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 25 gd RoHS compliant Configu

 8.2. Size:826K  cn sinai power
 spc65r180g spb65r180g.pdf pdf_icon

SPC65R360G

SPC65R180G,SPB65R180G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m ) V =10V 180 DS(on) GS ID=20A(Vgs=10V) Q max. (nC) 75 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 17 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 26 gd RoHS Compli

Другие MOSFET... SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , SPC18N50G , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , AON6380 , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G , SPD3N80G , SPD5N50G , SPD7N65G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.