Справочник MOSFET. SPD65R360G

 

SPD65R360G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPD65R360G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SPD65R360G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD65R360G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:718K  cn sinai power
 spc65r360g spe65r360g spd65r360g.pdf pdf_icon

SPD65R360G

SPC65R360G,SPE65R360G,SPD65R360G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m) V =10V 360 DS(on) GS ID=11.5A(Vgs=10V) Q max. (nC) 30 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 8.5 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 7.5 gd

Другие MOSFET... SPC16N65G , SPC18N50G , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , IRLB4132 , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G , SPD3N80G , SPD5N50G , SPD7N65G , SPE4N65G , SPE7N65G .

History: STB190NF04 | PDEC2210V | HSCB2016

 

 
Back to Top

 


 
.