TWS6428FJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TWS6428FJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для TWS6428FJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TWS6428FJ даташит

 ..1. Size:1243K  cn twgmc
 tws6428fj.pdf pdf_icon

TWS6428FJ

TWS6428FJ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 30V, DC/DC conversion ID = 49A Battery protection . RDS(ON) @VGS= 10V, Max 7m Load switching RDS(ON) @VGS= 4.5V, Max 10.8m DC/AC inverters Pin Configurations DFN5*6-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted A Parameter Symbol Rat

Другие IGBT... TW3134KDW, TW4614SQ-X, TW7404FJ, TW7407FL-Y, TW7408FN, TW7468FL, TWE3139K, TWS1008SQ, 2SK3878, TWS6602FJ, TWS6604FL, SL100N08, SL10N65F, SL11N65CK, SL11N65C, SL11N65CF, SL11P06D