TWS6428FJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TWS6428FJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8L
TWS6428FJ Datasheet (PDF)
tws6428fj.pdf
TWS6428FJN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 30V, DC/DC conversion ID = 49A Battery protection . RDS(ON) @VGS= 10V, Max 7m Load switching RDS(ON) @VGS= 4.5V, Max 10.8m DC/AC inverters Pin Configurations DFN5*6-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Rat
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918