TWS6428FJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TWS6428FJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
TWS6428FJ Datasheet (PDF)
tws6428fj.pdf

TWS6428FJN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 30V, DC/DC conversion ID = 49A Battery protection . RDS(ON) @VGS= 10V, Max 7m Load switching RDS(ON) @VGS= 4.5V, Max 10.8m DC/AC inverters Pin Configurations DFN5*6-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Rat
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: KNP2804C | MDP14N25CTH | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | AP3988I-HF
History: KNP2804C | MDP14N25CTH | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | AP3988I-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235