Справочник MOSFET. SL2N65F

 

SL2N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL2N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SL2N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:984K  slkor
 sl2n65f.pdf pdf_icon

SL2N65F

SL2N65FN-Channel Power MOSFET Features 2.0A, 650V, R =4.2@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche TestedSchematic diagram Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionTO-220FAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: PDC3803R | 5N60G | IAUC100N10S5N040 | STU601S | RHP020N06 | STU4N80K5 | RTQ020N05HZG

 

 
Back to Top

 


 
.