Справочник MOSFET. SSM3K56ACT

 

SSM3K56ACT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM3K56ACT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.235 Ohm
   Тип корпуса: SOT883 CST3
 

 Аналог (замена) для SSM3K56ACT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3K56ACT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  toshiba
ssm3k56act.pdfpdf_icon

SSM3K56ACT

SSM3K56ACTMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM3K56ACTSSM3K56ACTSSM3K56ACTSSM3K56ACT1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON)

 7.1. Size:197K  toshiba
ssm3k56mfv.pdfpdf_icon

SSM3K56ACT

SSM3K56MFVMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM3K56MFVSSM3K56MFVSSM3K56MFVSSM3K56MFV1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON)

 7.2. Size:198K  toshiba
ssm3k56fs.pdfpdf_icon

SSM3K56ACT

SSM3K56FSMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM3K56FSSSM3K56FSSSM3K56FSSSM3K56FS1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 48

 7.3. Size:203K  toshiba
ssm3k56ct.pdfpdf_icon

SSM3K56ACT

SSM3K56CTMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM3K56CTSSM3K56CTSSM3K56CTSSM3K56CT1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 48

Другие MOSFET... SSM3J351R , SSM3J356R , SSM3J358R , SSM3J56ACT , SSM3K344R , SSM3K345R , SSM3K35AMFV , SSM3K361R , IRFP260N , SSM3K7002CFU , SSM3K72KFS , SSM6J511NU , T2N7002AK , T2N7002BK , TK290P65Y , TK380P60Y , TK380P65Y .

History: DMNH10H028SPSQ-13 | H8N60P

 

 
Back to Top

 


 
.