TPH1R306PL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TPH1R306PL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 91 nC
Время нарастания (tr): 8.3 ns
Выходная емкость (Cd): 1160 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00134 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для TPH1R306PL
TPH1R306PL Datasheet (PDF)
tph1r306pl.pdf
TPH1R306PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH1R306PLTPH1R306PLTPH1R306PLTPH1R306PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 22 nC (typ.)(3) Small out
tph1r403nl.pdf
TPH1R403NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH1R403NLTPH1R403NLTPH1R403NLTPH1R403NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 10.6 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resist
tph1r712md.pdf
TPH1R712MDMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPH1R712MDTPH1R712MDTPH1R712MDTPH1R712MD1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.35 m (typ.) (VGS = -4.5 V)(2) Low leakage current: IDS
tph1r005pl.pdf
TPH1R005PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH1R005PLTPH1R005PLTPH1R005PLTPH1R005PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 24 nC (typ.)(3) Small output charge: Qoss =
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
