Справочник MOSFET. TPN1R603PL

 

TPN1R603PL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPN1R603PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 188 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: TSON8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TPN1R603PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:526K  toshiba
 tpn1r603pl.pdf pdf_icon

TPN1R603PL

TPN1R603PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN1R603PLTPN1R603PLTPN1R603PLTPN1R603PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 11 nC (typ.)(3) Small out

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.