Справочник MOSFET. TPN1R603PL

 

TPN1R603PL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPN1R603PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 188 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: TSON8
 

 Аналог (замена) для TPN1R603PL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPN1R603PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:526K  toshiba
 tpn1r603pl.pdf pdf_icon

TPN1R603PL

TPN1R603PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN1R603PLTPN1R603PLTPN1R603PLTPN1R603PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 11 nC (typ.)(3) Small out

Другие MOSFET... TPH3R70APL , TPH4R008NH , TPH4R10ANL , TPH8R008NH , TPHR6503PL , TPHR9003NL , TPN11003NL , TPN11006NL , 2SK3568 , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A .

History: SML100A9 | SPN3006 | BRD5N20 | 2305 | IPD90N04S4-05

 

 
Back to Top

 


 
.