TPN1R603PL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TPN1R603PL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 188 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
Тип корпуса: TSON8
Аналог (замена) для TPN1R603PL
TPN1R603PL Datasheet (PDF)
tpn1r603pl.pdf

TPN1R603PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN1R603PLTPN1R603PLTPN1R603PLTPN1R603PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 11 nC (typ.)(3) Small out
Другие MOSFET... TPH3R70APL , TPH4R008NH , TPH4R10ANL , TPH8R008NH , TPHR6503PL , TPHR9003NL , TPN11003NL , TPN11006NL , 2SK3568 , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A .
History: FQB1P50TM | VS4620DP-G | IRLR8103VTR | SPN3006 | STD35NF3LL | SFB063N80C3
History: FQB1P50TM | VS4620DP-G | IRLR8103VTR | SPN3006 | STD35NF3LL | SFB063N80C3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530