TPN1R603PL - описание и поиск аналогов

 

TPN1R603PL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPN1R603PL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 188 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm

Тип корпуса: TSON8

Аналог (замена) для TPN1R603PL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPN1R603PL даташит

 ..1. Size:526K  toshiba
 tpn1r603pl.pdf pdf_icon

TPN1R603PL

TPN1R603PL MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPN1R603PL TPN1R603PL TPN1R603PL TPN1R603PL 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 11 nC (typ.) (3) Small out

Другие MOSFET... TPH3R70APL , TPH4R008NH , TPH4R10ANL , TPH8R008NH , TPHR6503PL , TPHR9003NL , TPN11003NL , TPN11006NL , 4435 , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A .

History: AOD2922 | ISCNH342W | TX40N06B | TX15N10B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.