Справочник MOSFET. TPN2R203NC

 

TPN2R203NC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TPN2R203NC
   Маркировка: 2R203NC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: TSON8

 Аналог (замена) для TPN2R203NC

 

 

TPN2R203NC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  toshiba
 tpn2r203nc.pdf

TPN2R203NC TPN2R203NC

TPN2R203NCMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPN2R203NCTPN2R203NCTPN2R203NCTPN2R203NC1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 30 V)(3) Enhan

 9.1. Size:242K  toshiba
 tpn2r503nc.pdf

TPN2R203NC TPN2R203NC

TPN2R503NCMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPN2R503NCTPN2R503NCTPN2R503NCTPN2R503NC1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.1 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Low leakage

 9.2. Size:234K  toshiba
 tpn2r703nl.pdf

TPN2R203NC TPN2R203NC

TPN2R703NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN2R703NLTPN2R703NLTPN2R703NLTPN2R703NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 5.2 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resista

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top