Справочник MOSFET. TPN6R303NC

 

TPN6R303NC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPN6R303NC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TSON8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TPN6R303NC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  toshiba
 tpn6r303nc.pdf pdf_icon

TPN6R303NC

TPN6R303NCMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPN6R303NCTPN6R303NCTPN6R303NCTPN6R303NC1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Lo

 9.1. Size:233K  toshiba
 tpn6r003nl.pdf pdf_icon

TPN6R303NC

TPN6R003NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN6R003NLTPN6R003NLTPN6R003NLTPN6R003NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 4.3 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BL12N65-A | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.