Справочник MOSFET. TPN6R303NC

 

TPN6R303NC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPN6R303NC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TSON8
 

 Аналог (замена) для TPN6R303NC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPN6R303NC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  toshiba
 tpn6r303nc.pdf pdf_icon

TPN6R303NC

TPN6R303NCMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPN6R303NCTPN6R303NCTPN6R303NCTPN6R303NC1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Lo

 9.1. Size:233K  toshiba
 tpn6r003nl.pdf pdf_icon

TPN6R303NC

TPN6R003NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN6R003NLTPN6R003NLTPN6R003NLTPN6R003NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 4.3 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6

Другие MOSFET... TPH8R008NH , TPHR6503PL , TPHR9003NL , TPN11003NL , TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , IRFB3607 , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 .

History: PS0151 | IXFP72N20X3M | IXFY36N20X3 | WML10N65C4 | PTP88N07 | SSF450M | SP8009E

 

 
Back to Top

 


 
.