Справочник MOSFET. TPN6R303NC

 

TPN6R303NC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TPN6R303NC
   Маркировка: 6R303NC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TSON8

 Аналог (замена) для TPN6R303NC

 

 

TPN6R303NC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  toshiba
 tpn6r303nc.pdf

TPN6R303NC TPN6R303NC

TPN6R303NCMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPN6R303NCTPN6R303NCTPN6R303NCTPN6R303NC1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Lo

 9.1. Size:233K  toshiba
 tpn6r003nl.pdf

TPN6R303NC TPN6R303NC

TPN6R003NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN6R003NLTPN6R003NLTPN6R003NLTPN6R003NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 4.3 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top