TPN6R303NC - описание и поиск аналогов

 

TPN6R303NC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPN6R303NC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: TSON8

Аналог (замена) для TPN6R303NC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPN6R303NC даташит

 ..1. Size:233K  toshiba
 tpn6r303nc.pdf pdf_icon

TPN6R303NC

TPN6R303NC MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TPN6R303NC TPN6R303NC TPN6R303NC TPN6R303NC 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 5.2 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Lo

 9.1. Size:233K  toshiba
 tpn6r003nl.pdf pdf_icon

TPN6R303NC

TPN6R003NL MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPN6R003NL TPN6R003NL TPN6R003NL TPN6R003NL 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 4.3 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6

Другие MOSFET... TPH8R008NH , TPHR6503PL , TPHR9003NL , TPN11003NL , TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , K4145 , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 .

History: STD16NF06LT4 | SMK0870FJ | AO4607 | B20N15D | 2SK3357 | 2SK3575-Z | IRF7473TR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.