Справочник MOSFET. WSC15N10

 

WSC15N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSC15N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 170 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WSC15N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:953K  winsok
 wsc15n10.pdf pdf_icon

WSC15N10

WSC15N10 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSC15N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 100V 80m 15Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSC15N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HSM4435

 

 
Back to Top

 


 
.