WSC15N10 - описание и поиск аналогов

 

WSC15N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSC15N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 170 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для WSC15N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSC15N10 даташит

 ..1. Size:953K  winsok
 wsc15n10.pdf pdf_icon

WSC15N10

WSC15N10 N-Ch MOSFET Product Summery General Description The WSC15N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 100V 80m 15A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSC15N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous

Другие MOSFET... TPN11003NL , TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , 12N60 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN , WSD2012DN25 .

History: AP4880GM | 2SK3496-01MR | LPM2301B3F | JCS4N60CB | SM4804DSK | SM7340EHKP | AP4511GED-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.