Справочник MOSFET. WSD1216DN22

 

WSD1216DN22 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSD1216DN22
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 297 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L

 Аналог (замена) для WSD1216DN22

 

 

WSD1216DN22 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  winsok
 wsd1216dn22.pdf

WSD1216DN22 WSD1216DN22

WSD1216DN22P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD1216DN22 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -12V 15m -9.4Agate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSD1216DN22 meet the RoHS and Green Product requirement w

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top