Справочник MOSFET. WSD3070DN

 

WSD3070DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSD3070DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 96 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8-EP
 

 Аналог (замена) для WSD3070DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD3070DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  winsok
wsd3070dn.pdfpdf_icon

WSD3070DN

WSD3070DNN-Ch MOSFETFeatures Product Summery 100% UIS + R Testedg BVDSS RDSON ID Avalanche Rated25V 3.4m(max.) 70A Reliable an d Rugged Lead Fre e an d Green Devices AvailableDFN3.3x3.3-8-EP Pin Configuration (RoHS Complia nt)Applications Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery PoweredSystems.Absolute Maximum Ratings (TA = 25C Unl

 8.1. Size:2118K  winsok
wsd3075dn56.pdfpdf_icon

WSD3070DN

WSD3075DN56N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD3075DN56 is the highest performance BVDSS RDSON IDtrench N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 30V 6.5m 75Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . The WSD3075DN56 meet the RoHS and Green Applications Product requirement 100% EAS guar

 9.1. Size:1410K  winsok
wsd30l20dn.pdfpdf_icon

WSD3070DN

WSD30L20DNP-Ch MOSFET Product SummeryDescriptionThe WSD30L20DN uses advanced trench technology to VDS RDS(ON) IDprovide excellent RDS(ON), low gate charge and -30 18m -20Aoperation with gate voltages as low as 4.5V.This device Applicationis suitable for use as a Battery protection or in other Lithium battery protectionSwitching application Wireless impact Mobile phone fast

 9.2. Size:4767K  winsok
wsd3067dn56.pdfpdf_icon

WSD3070DN

WSD3067DN56N-Ch and P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD3067DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch and P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent 30V 15m 24ARDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . -30V 11m -19.8AThe WSD3067 meet the RoHS and Green Application

Другие MOSFET... WSD3030DN , WSD3042DN56 , WSD3045DN , WSD3050DN , WSD3056DN , WSD3066DN , WSD3067DN56 , WSD3069DN56 , MMIS60R580P , WSD3075DN56 , WSD3095DN56 , WSD30L120DN56 , WSD30L20DN , WSD30L30DN , WSD30L40DN , WSD30L60DN56 , WSD30L90DN56 .

History: NP80N03DDE | IRLB8743 | IRL60HS118

 

 
Back to Top

 


 
.