WSD30L60DN56. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WSD30L60DN56
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6A-8-EP
Аналог (замена) для WSD30L60DN56
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WSD30L60DN56 даташит
wsd30l60dn56.pdf
WSD30L60DN56 P-Ch MOSFET Product Summery Features -30V/-45A, RDS(ON) = 12m (max.) @ VGS =-10V RDS(ON) = 17m (max.) @ VGS =-6V RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS =-4.5V Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available DFN5X6A-8_EP (RoHS Compliant) Applications Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Powered Systems. Absolute Maximum Ratings (T
wsd30l20dn.pdf
WSD30L20DN P-Ch MOSFET Product Summery Description The WSD30L20DN uses advanced trench technology to VDS RDS(ON) ID provide excellent RDS(ON), low gate charge and -30 18m -20A operation with gate voltages as low as 4.5V.This device Application is suitable for use as a Battery protection or in other Lithium battery protection Switching application Wireless impact Mobile phone fast
wsd30l90dn56.pdf
WSD30L90DN56 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD30L90DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate -30V 6.4m -90A charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD30L90DN56 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load
wsd30l120dn56.pdf
WSD30L120DN56 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD30L120DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate -30V 3.6m -120A charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD30L120DN56 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-L
Другие MOSFET... WSD3069DN56 , WSD3070DN , WSD3075DN56 , WSD3095DN56 , WSD30L120DN56 , WSD30L20DN , WSD30L30DN , WSD30L40DN , AON7403 , WSD30L90DN56 , WSD3810DN , WSD40120DN56 , WSD40120DN56G , WSD4023DN56 , WSD4038DN , WSD4050DN , WSD4062DN56 .
History: WMM07N80M3 | 2SK2542 | WML13N65EM | WML4N65D1B | WMO14N60C4 | 2N60A
History: WMM07N80M3 | 2SK2542 | WML13N65EM | WML4N65D1B | WMO14N60C4 | 2N60A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955






