WSD3810DN - описание и поиск аналогов

 

WSD3810DN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSD3810DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для WSD3810DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD3810DN даташит

 ..1. Size:3825K  winsok
 wsd3810dn.pdf pdf_icon

WSD3810DN

WSD3810DN Dual N-Ch MOSFET Product Summery General Description BVDSS RDSON ID ITEM 30V 18A 10.8m Q1 The WSD3810DN is the highest performance trench Dual N-Ch MOSFET with extreme high cell 30V 18A 10.5m Q2 density,which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous

Другие MOSFET... WSD3075DN56 , WSD3095DN56 , WSD30L120DN56 , WSD30L20DN , WSD30L30DN , WSD30L40DN , WSD30L60DN56 , WSD30L90DN56 , EMB04N03H , WSD40120DN56 , WSD40120DN56G , WSD4023DN56 , WSD4038DN , WSD4050DN , WSD4062DN56 , WSD4066DN , WSD4070DN .

History: BRD630 | WSE3088 | BFC60 | WMM07N100C2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.