Справочник MOSFET. WSD3810DN

 

WSD3810DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSD3810DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для WSD3810DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD3810DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3825K  winsok
 wsd3810dn.pdf pdf_icon

WSD3810DN

WSD3810DNDual N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description BVDSS RDSON ID ITEM30V 18A10.8m Q1The WSD3810DN is the highest performance trench Dual N-Ch MOSFET with extreme high cell 30V 18A10.5m Q2density,which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications .Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous

Другие MOSFET... WSD3075DN56 , WSD3095DN56 , WSD30L120DN56 , WSD30L20DN , WSD30L30DN , WSD30L40DN , WSD30L60DN56 , WSD30L90DN56 , 2SK3918 , WSD40120DN56 , WSD40120DN56G , WSD4023DN56 , WSD4038DN , WSD4050DN , WSD4062DN56 , WSD4066DN , WSD4070DN .

History: IRF3709Z | AM1561CE | KPE4703A | APT10090SFLLG

 

 
Back to Top

 


 
.