Справочник MOSFET. WSD75100DN56

 

WSD75100DN56 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSD75100DN56
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8
 

 Аналог (замена) для WSD75100DN56

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD75100DN56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1088K  winsok
 wsd75100dn56.pdf pdf_icon

WSD75100DN56

WSD75100DN56 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD75100DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate 75V 100A5.3mcharge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD75100DN56 meet the RoHS and Green DC-DC converter switching fo

Другие MOSFET... WSD40N10GDN56 , WSD40P10DN56 , WSD45P10DN56 , WSD50P10ADN56 , WSD50P10DN56 , WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , IRFP460 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 , WSD90P06DN56 , WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 .

History: NP100P04PDG | WMP11N80M3 | STH180N10F3-6 | WMO90N02T1

 

 
Back to Top

 


 
.