Справочник MOSFET. WSF09N20G

 

WSF09N20G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSF09N20G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 11.8 nC
   Время нарастания (tr): 10.7 ns
   Выходная емкость (Cd): 51.2 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для WSF09N20G

 

 

WSF09N20G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1177K  winsok
 wsf09n20g.pdf

WSF09N20G WSF09N20G

WSF09N20G N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF09N20G is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate 200V 0.21 9Acharge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF09N20G meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

 6.1. Size:636K  winsok
 wsf09n20.pdf

WSF09N20G WSF09N20G

WSF09N20 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF09N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 0.21 9Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSF09N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top