WSF09N20G - описание и поиск аналогов

 

WSF09N20G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSF09N20G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WSF09N20G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF09N20G даташит

 ..1. Size:1177K  winsok
 wsf09n20g.pdf pdf_icon

WSF09N20G

WSF09N20G N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF09N20G is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate 200V 0.21 9A charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF09N20G meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

 6.1. Size:636K  winsok
 wsf09n20.pdf pdf_icon

WSF09N20G

WSF09N20 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF09N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 0.21 9A of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF09N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with

Другие MOSFET... WSD90P06DN56 , WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 , WSF09N20 , IRFB4115 , WSF10N40 , WSF12N10 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G , WSF15P10 , WSF18N15 , WSF20N06 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.