Справочник MOSFET. WSF09N20G

 

WSF09N20G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF09N20G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WSF09N20G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF09N20G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1177K  winsok
 wsf09n20g.pdf pdf_icon

WSF09N20G

WSF09N20G N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF09N20G is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate 200V 0.21 9Acharge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF09N20G meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

 6.1. Size:636K  winsok
 wsf09n20.pdf pdf_icon

WSF09N20G

WSF09N20 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF09N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 0.21 9Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSF09N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with

Другие MOSFET... WSD90P06DN56 , WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 , WSF09N20 , IRFP250N , WSF10N40 , WSF12N10 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G , WSF15P10 , WSF18N15 , WSF20N06 .

History: NCE30H12AK | OSG50R1K5PF

 

 
Back to Top

 


 
.