Справочник MOSFET. WSF09N20G

 

WSF09N20G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF09N20G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF09N20G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1177K  winsok
 wsf09n20g.pdf pdf_icon

WSF09N20G

WSF09N20G N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF09N20G is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate 200V 0.21 9Acharge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF09N20G meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

 6.1. Size:636K  winsok
 wsf09n20.pdf pdf_icon

WSF09N20G

WSF09N20 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF09N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 0.21 9Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSF09N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SVSP11N65FJHD2 | MCH3486 | GSM3416 | LP2301BLT3G | RSS130N03TB | IRCP140 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.