Справочник MOSFET. WSF10N40

 

WSF10N40 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSF10N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.607 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для WSF10N40

 

 

WSF10N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1934K  winsok
 wsf10n40.pdf

WSF10N40 WSF10N40

WSF10N40 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF10N40 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 400V 515m 10Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications DC-DC & DC-AC Converters for telecom,industrial and consumer environment

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top