WSF10N40 - описание и поиск аналогов

 

WSF10N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSF10N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.607 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WSF10N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF10N40 даташит

 ..1. Size:1934K  winsok
 wsf10n40.pdf pdf_icon

WSF10N40

WSF10N40 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF10N40 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 400V 515m 10A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications DC-DC & DC-AC Converters for telecom, industrial and consumer environment

Другие MOSFET... WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 , WSF09N20 , WSF09N20G , 2N7000 , WSF12N10 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G , WSF15P10 , WSF18N15 , WSF20N06 , WSF20N20 .

History: WMK26N60F2 | BFD82 | SWT69N65K2 | WMK25N65EM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.