Справочник MOSFET. WSF10N40

 

WSF10N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF10N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.607 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WSF10N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF10N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1934K  winsok
 wsf10n40.pdf pdf_icon

WSF10N40

WSF10N40 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF10N40 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 400V 515m 10Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications DC-DC & DC-AC Converters for telecom,industrial and consumer environment

Другие MOSFET... WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 , WSF09N20 , WSF09N20G , IRF9540 , WSF12N10 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G , WSF15P10 , WSF18N15 , WSF20N06 , WSF20N20 .

History: NCE30P15AS | WMM13N80M3 | SWS4N65D | SFG10R75BCF | SSC8033GS6 | HRP30N04K | KMB6D0DN35QB

 

 
Back to Top

 


 
.