WSF28N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WSF28N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WSF28N06
WSF28N06 Datasheet (PDF)
wsf28n06.pdf

WSF28N06 N-Ch MOSFETPin Configuration Features 60V/28A,RDS(ON) = 28m (TYP.) @ VGS = 10V RDS(ON )= 38m (TYP.) @ VGS = 5V Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Top View of TO-252-2 100% UIS + R Testedg Applications Switching Application for Actuator. Converter Application in LED TV. Switching Application in Industry.N-Chan
Другие MOSFET... WSF15N10A , WSF15N10G , WSF15P10 , WSF18N15 , WSF20N06 , WSF20N20 , WSF20N20G , WSF20P03 , IRF1010E , WSF30100 , WSF30100D , WSF3012 , WSF3013 , WSF3036 , WSF3036A , WSF3038 , WSF3040 .
History: TK8S06K3L
History: TK8S06K3L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout