WSF28N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WSF28N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
WSF28N06 Datasheet (PDF)
wsf28n06.pdf

WSF28N06 N-Ch MOSFETPin Configuration Features 60V/28A,RDS(ON) = 28m (TYP.) @ VGS = 10V RDS(ON )= 38m (TYP.) @ VGS = 5V Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Top View of TO-252-2 100% UIS + R Testedg Applications Switching Application for Actuator. Converter Application in LED TV. Switching Application in Industry.N-Chan
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: STF20N90K5 | WMB80N06TS | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | G16
History: STF20N90K5 | WMB80N06TS | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | G16



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout