Справочник MOSFET. WSK140N08

 

WSK140N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSK140N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для WSK140N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSK140N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1145K  winsok
 wsk140n08.pdf pdf_icon

WSK140N08

WSK140N08 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSK140N08 is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high 80V 4.8m 140Acell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications Power Management for Inverter Systems.Features TO-263-2L Pin Configura

Другие MOSFET... WSF60N06 , WSF70N10 , WSF70P03 , WSF80N06H , WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , AO3401 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 .

History: SI5404BDC | WML20N50D1 | 9N90C | IPD90N04S4-03 | D1096 | STB14NK60Z-1 | SUB60N06-18

 

 
Back to Top

 


 
.