WSK140N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSK140N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 140 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 115 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 665 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO263
WSK140N08 Datasheet (PDF)
wsk140n08.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WSK140N08 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSK140N08 is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high 80V 4.8m 140Acell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications Power Management for Inverter Systems.Features TO-263-2L Pin Configura
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .