WSK140N08 - описание и поиск аналогов

 

WSK140N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSK140N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для WSK140N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSK140N08 даташит

 ..1. Size:1145K  winsok
 wsk140n08.pdf pdf_icon

WSK140N08

WSK140N08 N-Ch MOSFET Product Summery General Description The WSK140N08 is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high 80V 4.8m 140A cell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications Power Management for Inverter Systems. Features TO-263-2L Pin Configura

Другие MOSFET... WSF60N06 , WSF70N10 , WSF70P03 , WSF80N06H , WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , P60NF06 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 .

History: NTMD6N03R2 | R6020KNZ1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.