WSR25N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WSR25N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WSR25N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR25N20 даташит

 ..1. Size:721K  winsok
 wsr25n20.pdf pdf_icon

WSR25N20

WSR25N20 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSR25N20 is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 60m 25A of the synchronous buck converter applications . Applications The WSR25N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed wi

Другие IGBT... WSP9435, WSP9926A, WSP9926B, WSP9936, WSR10N65F, WSR140N08, WSR18P10, WSR200N08, IRF4905, WSR45P10, WSR4N65F, WSR60N06, WSR7N65F, WSR80N06, WSR80N08, WSR80N10, WSR80P06