Справочник MOSFET. WSR25N20

 

WSR25N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSR25N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для WSR25N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR25N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:721K  winsok
 wsr25n20.pdf pdf_icon

WSR25N20

WSR25N20 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR25N20 is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 60m 25Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSR25N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed wi

Другие MOSFET... WSP9435 , WSP9926A , WSP9926B , WSP9936 , WSR10N65F , WSR140N08 , WSR18P10 , WSR200N08 , IRF4905 , WSR45P10 , WSR4N65F , WSR60N06 , WSR7N65F , WSR80N06 , WSR80N08 , WSR80N10 , WSR80P06 .

 

 
Back to Top

 


 
.