Справочник MOSFET. WSR25N20

 

WSR25N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSR25N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
   Время нарастания (tr): 18 ns
   Выходная емкость (Cd): 163 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для WSR25N20

 

 

WSR25N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:721K  winsok
 wsr25n20.pdf

WSR25N20 WSR25N20

WSR25N20 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR25N20 is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 60m 25Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSR25N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed wi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top