WSR7N65F - аналоги и даташиты транзистора

 

WSR7N65F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WSR7N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для WSR7N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR7N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1991K  winsok
 wsr7n65f.pdf pdf_icon

WSR7N65F

WSR7N65F N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR7N65F is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 650V 1.3 7Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSR7N65F meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Другие MOSFET... WSR10N65F , WSR140N08 , WSR18P10 , WSR200N08 , WSR25N20 , WSR45P10 , WSR4N65F , WSR60N06 , 8205A , WSR80N06 , WSR80N08 , WSR80N10 , WSR80P06 , WST02N10 , WST03P06 , WST05N10 , WST05N10L .

History: IXTP1R6N50D2 | FQL40N50F | SVSP24N60TD2

 

 
Back to Top

 


 
.