2N6762JAN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N6762JAN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 50 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO3
2N6762JAN Datasheet (PDF)
2n6762 irf430.pdf
PD - 90336FIRF430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6762THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF430 500V 1.5 4.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
2n6768 irf350.pdf
PD - 90339FIRF350REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6768THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF350 400V 0.300 14AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
2n6760 irf330.pdf
PD - 90335FIRF330REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6760HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6760THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF330 400V 1.00 5.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
2n6766 irf250.pdf
PD - 90338EIRF250REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6766HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6766THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF250 200V 0.085 30AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.TO-3The efficient geometry and unique
2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf
2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/543DESCRIPTION
Другие MOSFET... 2N6760 , 2N6760JAN , 2N6760JANTX , 2N6760JANTXV , 2N6760JTX , 2N6760JTXV , 2N6761 , 2N6762 , AO4407 , 2N6762JANTX , 2N6762JANTXV , 2N6762JTX , 2N6762JTXV , 2N6763 , 2N6764 , 2N6764JAN , 2N6764JANTX .
History: APT8015JVFR
History: APT8015JVFR
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: 2SK2049 | MT6JN009A | MT6JN008A | MT40N20A | MT28N20A | MT20N024A | MT06N020AL | MT06N020A | MT06N005A | MT04N005AL | MT04N004B | MT03N03FAL | MS65R620RR | MS65R620RF | MS65R600R | MS65R600F