Справочник MOSFET. 2N6762JAN

 

2N6762JAN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N6762JAN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 50 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для 2N6762JAN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6762JAN Datasheet (PDF)

 8.1. Size:146K  international rectifier
 2n6762 irf430.pdf pdf_icon

2N6762JAN

PD - 90336FIRF430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6762THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF430 500V 1.5 4.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

 8.2. Size:137K  fairchild semi
 2n6761 2n6762.pdf pdf_icon

2N6762JAN

 9.1. Size:142K  1
 2n6766.pdf pdf_icon

2N6762JAN

 9.2. Size:140K  1
 2n6768.pdf pdf_icon

2N6762JAN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N6760 , 2N6760JAN , 2N6760JANTX , 2N6760JANTXV , 2N6760JTX , 2N6760JTXV , 2N6761 , 2N6762 , IRFZ24N , 2N6762JANTX , 2N6762JANTXV , 2N6762JTX , 2N6762JTXV , 2N6763 , 2N6764 , 2N6764JAN , 2N6764JANTX .

History: SDF85NA50HI

 

 
Back to Top

 


 
.