WSTBSS138 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WSTBSS138  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WSTBSS138

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSTBSS138 даташит

 ..1. Size:1243K  winsok
 wstbss138.pdf pdf_icon

WSTBSS138

WSTBSS138 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSTBSS138 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate 110m 60V 2.1A charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSTBSS138 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guara

 7.1. Size:1706K  winsok
 wstbss123.pdf pdf_icon

WSTBSS138

WSTBSS123 N-Ch MOSFET Product Summery General Description The WSTBSS123 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell 100V 210m 2.0A density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSTBSS123 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-L

Другие IGBT... WST6045, WST6066A, WST6225, WST6401, WST6402, WST8205, WST8205A, WSTBSS123, 10N60, WCM2079, WNM01N10, WNM2016A, WNM2046C, WNM2077, WNM3018, WNM3025, WNM6002