MT7N65-220F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MT7N65-220F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для MT7N65-220F
MT7N65-220F Datasheet (PDF)
mt7n65.pdf

Oct 2014MT7N65N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V = 650VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R = 1 @ V =10V, I =3.7ADS(ON) GS DSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin
Другие MOSFET... WPM2087 , WPM3020 , WPM3021 , WPM3022 , WPT2N31 , WPT2N32 , FKBA4903 , MT7N65 , IRF9540N , SE01P13K , SE100130A , SE100130GA , SE10015 , SE100150G , SE100180GA , SE100250GTS , SE1003 .
History: 50N30C | SIZ918DT | 2SK4004-01MR | IRFR1205TR
History: 50N30C | SIZ918DT | 2SK4004-01MR | IRFR1205TR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent