MT7N65-220F - описание и поиск аналогов

 

MT7N65-220F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MT7N65-220F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для MT7N65-220F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MT7N65-220F даташит

 8.1. Size:977K  cn sino-ic
 mt7n65.pdf pdf_icon

MT7N65-220F

Oct 2014 MT7N65 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, V = 650V DS such as fast switching time, low gate charge, R = 1 @ V =10V, I =3.7A DS(ON) GS DS low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin

 8.2. Size:2930K  dyelec
 dmt7n65 dmf7n65 dmk7n65 dmg7n65.pdf pdf_icon

MT7N65-220F

7N65 650V N-Channel Power MOSFET RDS(ON)

Другие MOSFET... WPM2087 , WPM3020 , WPM3021 , WPM3022 , WPT2N31 , WPT2N32 , FKBA4903 , MT7N65 , SPP20N60C3 , SE01P13K , SE100130A , SE100130GA , SE10015 , SE100150G , SE100180GA , SE100250GTS , SE1003 .

History: NTB60N06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.