SE20075 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SE20075
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 360 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 140 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 950 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO220
SE20075 Datasheet (PDF)
se20075.pdf
SE20075N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesFor a single MOSFETAdvanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 200VDSoperation voltage. This device is suitable for R =15.8m @V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline
kse200.pdf
KSE200Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product : fT=65MHz @ IC=100mA (Min.) Complement to KSE210TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
kse200.pdf
KSE200POWER TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 1 (KSE200)KSE200POWER TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 2 (KSE200)
se20040.pdf
SE20040N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesFor a single MOSFETAdvanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 200VDSoperation voltage. This device is suitable for R =36.4m @V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline
se200100g.pdf
SE200100GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent R with low gateDS(ON) V =200VDScharge. R =11m @V =10VDS(ON) GS High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipationPin configurationsSee Di
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
