SE40120A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SE40120A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SE40120A
SE40120A Datasheet (PDF)
se40160a.pdf

SE40160AN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =4m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurationsSe
se40150.pdf

SE40150N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V = 40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R = 1.9m @ V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations
Другие MOSFET... SE30P09D , SE30P12 , SE30P12D , SE30P50 , SE30P50B , SE3205A , SE3401B , SE3N150P , IRF840 , SE40150 , SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , SE6080S , SE8090S , SE4060GB .
History: UM6K34N | CRTT084NE6N | RU7080S | UPA1727 | IRFP7530 | C2M065W030 | RU205C
History: UM6K34N | CRTT084NE6N | RU7080S | UPA1727 | IRFP7530 | C2M065W030 | RU205C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet