SE40150 - описание и поиск аналогов

 

SE40150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE40150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: TO220 TO263 TO252 DFN5X6

Аналог (замена) для SE40150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE40150 даташит

 ..1. Size:901K  cn sino-ic
 se40150.pdf pdf_icon

SE40150

SE40150 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V = 40V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R = 1.9m @ V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations

 9.1. Size:1265K  cn sino-ic
 se40120a.pdf pdf_icon

SE40150

 9.2. Size:316K  cn sino-ic
 se40160a.pdf pdf_icon

SE40150

SE40160A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =4m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations Se

Другие MOSFET... SE30P12 , SE30P12D , SE30P50 , SE30P50B , SE3205A , SE3401B , SE3N150P , SE40120A , IRF540N , SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , SE6080S , SE8090S , SE4060GB , SE40P20B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.