Справочник MOSFET. SE40150

 

SE40150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE40150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO263 TO252 DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SE40150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE40150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  cn sino-ic
 se40150.pdf pdf_icon

SE40150

SE40150N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V = 40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R = 1.9m @ V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations

 9.1. Size:1265K  cn sino-ic
 se40120a.pdf pdf_icon

SE40150

 9.2. Size:316K  cn sino-ic
 se40160a.pdf pdf_icon

SE40150

SE40160AN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =4m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurationsSe

Другие MOSFET... SE30P12 , SE30P12D , SE30P50 , SE30P50B , SE3205A , SE3401B , SE3N150P , SE40120A , IRF540 , SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , SE6080S , SE8090S , SE4060GB , SE40P20B .

History: AP2864I-A-HF | RJU003N03FRA

 

 
Back to Top

 


 
.