SE47NS65TS - описание и поиск аналогов

 

SE47NS65TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE47NS65TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 391 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO247S

Аналог (замена) для SE47NS65TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE47NS65TS даташит

 ..1. Size:398K  cn sino-ic
 se47ns65ts.pdf pdf_icon

SE47NS65TS

SE47NS65TS N-Channel Enhancement-Mode COOLMOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =60m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurat

Другие MOSFET... SE40P20B , SE4435 , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , IRFB4115 , SE4942B , SE4946 , SE4953 , SE4N65 , SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS .

History: UPA1774 | APM4568J

 

 

 

 

↑ Back to Top
.