Справочник MOSFET. SE47NS65TS

 

SE47NS65TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE47NS65TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 391 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO247S
 

 Аналог (замена) для SE47NS65TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE47NS65TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  cn sino-ic
 se47ns65ts.pdf pdf_icon

SE47NS65TS

SE47NS65TSN-Channel Enhancement-Mode COOLMOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =60m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurat

Другие MOSFET... SE40P20B , SE4435 , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , IRFP250N , SE4942B , SE4946 , SE4953 , SE4N65 , SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS .

History: YJD50N03A | SSF2816EB | DE275-102N06A | FDZ7296 | AP4438GYT-HF | CS1N60 | BUK9M19-60E

 

 
Back to Top

 


 
.