Справочник MOSFET. SE60120B

 

SE60120B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SE60120B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 125 nC
   Время нарастания (tr): 19 ns
   Выходная емкость (Cd): 470 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SE60120B

 

 

SE60120B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  cn sino-ic
se60120b.pdf

SE60120B
SE60120B

Dec 2014SE60120BN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent R with low gateDS(ON) V =60VDScharge. R =4.1m @V =10VDS(ON) GS High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipationPin configuration

 7.1. Size:704K  cn sino-ic
se60120gts.pdf

SE60120B
SE60120B

Dec 2014SE60120GTSN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent R with low gateDS(ON) V = 60VDScharge. R = 3.0m @ V =10VDS(ON) GS High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipationPin configura

 9.1. Size:461K  cn sino-ic
se6016b.pdf

SE60120B
SE60120B

SE6016BN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =60VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =23m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurationsSe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top