Справочник MOSFET. SE60P20B

 

SE60P20B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE60P20B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SE60P20B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE60P20B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  cn sino-ic
 se60p20b.pdf pdf_icon

SE60P20B

SE60P20BP-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =-60VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =26m @V =-10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations

Другие MOSFET... SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , SPP20N60C3 , SE630K , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G .

History: PI632BZ

 

 
Back to Top

 


 
.