SE60P20B - описание и поиск аналогов

 

SE60P20B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE60P20B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SE60P20B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE60P20B даташит

 ..1. Size:477K  cn sino-ic
 se60p20b.pdf pdf_icon

SE60P20B

SE60P20B P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =-60V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =26m @V =-10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations

Другие MOSFET... SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , K3569 , SE630K , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G .

History: KHB3D0N90P1 | AGM628S | SWP80N08V1 | H12N60F | SMF12N65 | SE630K | 2SK1708

 

 

 

 

↑ Back to Top
.