SE80130GA - описание и поиск аналогов

 

SE80130GA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE80130GA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SE80130GA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE80130GA даташит

 ..1. Size:471K  cn sino-ic
 se80130ga.pdf pdf_icon

SE80130GA

 6.1. Size:536K  cn sino-ic
 se80130g.pdf pdf_icon

SE80130GA

 9.1. Size:169K  onsemi
 kse800 kse801 kse802 kse803.pdf pdf_icon

SE80130GA

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 9.2. Size:420K  cn sino-ic
 se80100ga.pdf pdf_icon

SE80130GA

SE80100GA N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =80V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =6.0m @V =10 DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SE630K , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , 5N65 , SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , SE85210 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.