SED8830 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SED8830
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 62 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
Тип корпуса: DFN2X5
SED8830 Datasheet (PDF)
se8830t se8830a sed8830mp sed8830 sed8830p sed8830n.pdf
SHANGHAI Feb 2013 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8830T/8830A SED8830MP/8830/8830P/SED8830N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A 8830 Series Pin Assignment Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)
sed8830a.pdf
SHANGHAI Feb 2010MICROELECTRONICS CO., LTD.SED8830ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorRevision:AFeaturesFor a single mosfet VDSS =20V RDS(ON)=14.5m@VGS=4.5V RDS(ON)=22m@VGS=2.5VApplicationsBattery protectionLoad switchPower managementConstructionSilicon epitaxial planerAbsolute Maximum RatingsParamet Symbol Rating
sed8840.pdf
Jul 2014SED8840Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =8.5m @V =4.5VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin c
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918