Справочник MOSFET. SED10080GG

 

SED10080GG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SED10080GG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SED10080GG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SED10080GG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  cn sino-ic
 sed10080gg.pdf pdf_icon

SED10080GG

SED10080GGN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesFor a single MOSFETAdvanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and low V =100VDSoperation voltage. This device is suitable for R =6.7m @V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

 8.1. Size:415K  cn sino-ic
 sed10070gg.pdf pdf_icon

SED10080GG

SED10070GGN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesFor a single MOSFETAdvanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and low V =100VDSoperation voltage. This device is suitable for R =8.2m @V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

Другие MOSFET... SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , SE9926 , SED10070GG , 2N60 , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M .

History: STV200N55F3 | TPM7002DFN3 | KHB2D0N60P

 

 
Back to Top

 


 
.