SED3030M - аналоги и даташиты транзистора

 

SED3030M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SED3030M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
 

 Аналог (замена) для SED3030M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SED3030M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  cn sino-ic
 sed3030m.pdf pdf_icon

SED3030M

SED3030MN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate V =30VDScharge. It can be used in a wide variety of application R =7.4m@V =10VDS(ON) GSPin configurationsSee Diagram belowAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Ra

 8.1. Size:430K  cn sino-ic
 sed3032g.pdf pdf_icon

SED3030M

SED3032GDual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =30VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =7.4m@V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configuratio

 9.1. Size:465K  cn sino-ic
 sed3022m.pdf pdf_icon

SED3030M

SED3022MDual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate V =30VDScharge. It can be used in a wide variety of application R =16m@V =10VDS(ON) GSPin configurationsSee Diagram belowDFN3x3MAbsolute Maximum RatingsParame

 9.2. Size:364K  cn sino-ic
 sed3080m.pdf pdf_icon

SED3030M

SED3080MN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate V =30VDScharge. It can be used in a wide variety of application R =4.5m@V =10VDS(ON) GSPin configurationsSee Diagram belowAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Ra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SE8N65A , SE9435 , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , IRFZ24N , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , SED4060G , SED4060GM , SED5852 , SED8830A .

 

 
Back to Top

 


 
.