SED3081M - описание и поиск аналогов

 

SED3081M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SED3081M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для SED3081M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SED3081M даташит

 ..1. Size:364K  cn sino-ic
 sed3081m.pdf pdf_icon

SED3081M

SED3081M N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent RDS(ON) with low gate V =30V DS charge. It can be used in a wide variety of application R =5.4m @V =10V DS(ON) GS Pin configurations See Diagram below Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Ra

 8.1. Size:364K  cn sino-ic
 sed3080m.pdf pdf_icon

SED3081M

SED3080M N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent RDS(ON) with low gate V =30V DS charge. It can be used in a wide variety of application R =4.5m @V =10V DS(ON) GS Pin configurations See Diagram below Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Ra

 9.1. Size:465K  cn sino-ic
 sed3022m.pdf pdf_icon

SED3081M

SED3022M Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent RDS(ON) with low gate V =30V DS charge. It can be used in a wide variety of application R =16m @V =10V DS(ON) GS Pin configurations See Diagram below DFN3x3M Absolute Maximum Ratings Parame

 9.2. Size:430K  cn sino-ic
 sed3032g.pdf pdf_icon

SED3081M

SED3032G Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =30V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =7.4m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configuratio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , P60NF06 , SED30P30M , SED4060G , SED4060GM , SED5852 , SED8830A , SED8840 , APM2300CA , APM2301CA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.