FCD4N60 - описание и поиск аналогов

 

FCD4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCD4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для FCD4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD4N60 даташит

 ..1. Size:922K  fairchild semi
 fcd4n60.pdf pdf_icon

FCD4N60

 0.1. Size:478K  fairchild semi
 fcd4n60tf fcd4n60tm.pdf pdf_icon

FCD4N60

October 2013 FCD4N60 N-Channel SuperFET MOSFET 600 V, 3.9 A, 1.2 Features Description 650 V @TJ = 150 C SuperFET MOSFET is Fairchild Semiconductor s first genera- tion of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is Typ. RDS(on) = 1.0 utilizing charge balance technology for outstanding low on- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 12.8 nC) resistance

Другие MOSFET... FCB11N60 , 2SK3653 , FCB20N60 , 2SK3057 , 2SK3469-01MR , FCB20N60F , FCB36N60N , 2SJ279 , 10N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.