2SK2341. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2341

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 2SK2341

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2341 даташит

 ..1. Size:73K  1
 2sk2341.pdf pdf_icon

2SK2341

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2341 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2341 is N-channel Power MOS Field Effect Transis- (in millimeters) tor designed for high voltage switching applications. 10.0 0.3 4.5 0.2 3.2 0.2 FEATURES 2.7 0.2 Low On-state Resistance RDS(on) = 0.26 MAX. (VGS = 10 V, ID =

 8.1. Size:55K  sanyo
 2sk2348.pdf pdf_icon

2SK2341

Ordering number EN5415A N-Channel Silicon MOSFET 2SK2348 High-Voltage, High-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance, ultrahigh-speed switching. unit mm High reliability (Adoption of HVP process). 2131-TO-3JML [2SK2348] 1 Gate 2 Drain 3 Source SANYO TO-3JML Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol

 8.2. Size:54K  sanyo
 2sk2349.pdf pdf_icon

2SK2341

Ordering number EN5315A N-Channel Silicon MOSFET 2SK2349 High-Voltage, High-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance, ultrahigh-speed switching. unit mm High reliability (Adoption of HVP process). 2131-TO-3JML [2SK2349] 1 Gate 2 Drain 3 Source SANYO TO-3JML Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol

 8.3. Size:55K  sanyo
 2sk2347.pdf pdf_icon

2SK2341

Ordering number EN5424A N-Channel Silicon MOSFET 2SK2347 High-Voltage, High-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance, ultrahigh-speed switching. unit mm High reliability (Adoption of HVP process). 2131-TO-3JML [2SK2347] 1 Gate 2 Drain 3 Source SANYO TO-3JML Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2141, 2SK2157, 2SK2158, 2SK2159, 2SK2207, 2SK2208, 2SK2234, 2SK2275, 2SK3568, 2SK2409, 2SK2410, 2SK2411, 2SK2412, 2SK2413, 2SK2414, 2SK2415, 2SK2419